Die extreme ultraviolette Lithografie ist eine der Schlüsseltechnologien für Mikrochips. Ein zentrales Problem ist die Anreicherung von Zinn in der EUV-Quelle während des Belichtungsprozesses der Wafer, was zu einer Degradierung und Beschädigung der EUV-optischen Komponenten führt. Eine grundlegende Frage ist, wie und in welchem chemischen Zustand Elemente flüchtig werden können und damit das Potenzial zur Kontamination aufweisen. Eine der Ziele dieser Arbeit ist die Messung der relevanten Hydride im ultra-spuren Bereich. Der zentrale Fokus dieser Forschung liegt auf der Wechselwirkung von Wasserstoffplasmaspezies mit Elementen und der Bestimmung von nativen Ionen und Molekülen mittels Massenspektrometrie. Experimente sind darauf ausgerichtet, die ablaufenden Mechanismen und Prozesse aufzuklären. Mit Hilfe von mehreren Massenspektrometern und Plasmaquellen kann der Einfluss der Instrumente und ihrer Parameter bestimmt werden. Abhängig vom Instrument und seiner Ionenquelle können Moleküle durch EI detektiert oder nativen Ionen, die im Wasserstoffplasma erzeugt wurden, direkt gemessen werden. Auf diese Weise können sowohl die neutralen als auch die ionischen Reaktionsprodukte bestimmt werden. RASP, ein Programm, das im Rahmen dieser Arbeit entwickelt wurde, ermöglicht die Rückrechnung der sich überlagerten Massensignale. Auf diese Weise ist die Verteilung der verschiedenen Metallhydrid-Ionen zugänglich, welche wichtigen Informationen über den Bildungsprozess der entsprechenden Spezies liefert. Stannan wird unter bekannten Bedingungen synthetisiert und gemessen. Diese Massenspektren dienen als Referenzstandard für die Messung von plasmaerzeugten Metallhydriden. Zur Quantifizierung des Ätzprozesses durch Wasserstoffplasmaspezies werden Zinn-beschichtete Sensoren für Quarzkristall-Mikrowaagen verwendet. Die Änderung der Masse auf dem Sensor aufgrund

des Ätzens steht direkt im Zusammenhang mit der Ätzrate unter den herrschenden Bedingungen.

Extreme ultraviolet lithography is one of the key technologies for microchips. A core problem is the accumulation of tin in the EUV source during the wafer exposure process, which degrades and damage EUV optical components. A fundamental question is how and in what chemical state elements can become volatile and thereby exhibit the potential for contamination. One of the main tasks of this work is the measurement of the relevant hydrides at the ultra-trace level. The central focus of this research is the interaction of hydrogen plasma species with elements and the determination of native ions and molecules using mass spectrometry. Experiments are designed to elucidate the mechanisms involved and to understand the processes occurring. With the use of multiple mass spectrometers and plasma sources, the influence of the instruments and its parameters can be determined. Depending on the instrument and its ion source, neutral molecules can be detected by EI ionization or native ions generated in the hydrogen plasma can be measured directly by guiding them into the analyzer. In this way, both the neutral and ionic products of the reactions can be determined. RASP, a program developed within this work, allows for the reverse calculation of isotope-related superimpositions of signals. In this way, the distribution of the different metal hydride ions is accessible, providing essential information about the formation process of the corresponding species. Stannane is synthesized and measured under well-known conditions. These mass spectra serve as a reference standard for the measurement of plasma generated metal hydrides. To quantify the etching process of deposited tin by hydrogen plasma species, tin-coated sensors for quartz crystal microbalance instruments are used. The change in mass on the sensor due to etching is directly related to the rate of etching under the prevailing conditions