Elektronenspektroskopie von feldemittierten und laser-gepulsten Elektronen aus Halbleitern mit Diamantstruktur / vorgelegt von M. Sc. Vitali Porshyn. Wuppertal, Oktober 2017
Inhalt
- 1 Einleitung
- 2 Grundlagen zu den untersuchten Prozessen
- 2.1 Elektronische Eigenschaften von Festkörpern
- 2.2 Einfluss von Störstellen
- 2.3 Austrittsarbeit
- 2.4 Kollektive Anregung
- 2.5 Feldemission
- 2.5.1 Fowler–Nordheim-Modell
- 2.5.2 Stratton-Modell
- 2.5.3 Feldemission aus schwach dotierten Halbleitern
- 2.5.4 Feldüberhöhungsfaktor
- 2.5.5 Feldemission aus einzelnen Atomen
- 2.6 Photoemission
- 2.7 Thermische Emission
- 2.8 Explosive Elektronenemission
- 3 Messsysteme zur Charakterisierung von Elektronenemittern
- 3.1 Photo-Feldemissionsspektroskop
- 3.1.1 Kathodenaufbau
- 3.1.2 Kathodenleitung
- 3.1.3 Gate-Aufbau
- 3.1.4 Durchstimmbarer Laser
- 3.1.5 Elektronenspektrometer
- 3.1.6 Steuerung des Messsystems
- 3.2 Feldemissionsrastermikroskop
- 3.3 Integrale Messapparatur mit Leuchtschirm
- 3.4 Rasterelektronenmikroskop
- 3.5 Optisches Profilometer mit Rasterkraftmikroskop
- 3.6 Röntgendiffraktometer
- 4 Charakterisierung von schwarzen Si-Feldemittern
- 5 Charakterisierung von emittierenden Si-Einzelspitzen und Arrays aus Si-Einzelspitzen
- 6 Charakterisierung von flachen Ge-Einkristallen
- 7 Charakterisierung von flachen und spitzen Diamant-basierten Emittern
- 8 Zusammenfassung und Ausblick
- Literatur
- Symbole und Abkürzungen