Lebensdauer von organischen Feldeffekttransistoren / von Tobias Lau. 2013
Inhalt
- Abbildungsverzeichnis
- 1 Einleitung und Motivation
- 2 Messplatz zur automatisierten elektrischen Charakterisierung
- 3 Auswertung der Messdaten
- 3.1 Extraktion der Mobilität
- 3.2 Algorithmus zur Geradenanpassung
- 3.3 Extraktion der Schwellspannung
- 3.4 Ermittlung der verbleibenden OFET-Parameter
- 3.5 Datenverwaltung in Matlab
- 4 Materialien und Probenpräparation
- 4.1 Substrat
- 4.2 Source- und Drain-Elektroden
- 4.3 Self-Assembled Monolayer
- 4.4 Halbleiter
- 4.5 Dielektrikum
- 4.6 Gate
- 4.7 Probenherstellung
- 5 Versuchsplanung und elektrische Charakterisierung
- 6 Nullzustand der elektrischen Eigenschaften
- 6.1 Kennlinien im Nullzustand
- 6.2 On-Strom
- 6.3 Mobilität
- 6.4 Off-Strom
- 6.5 On/Off-Verhältnis
- 6.6 Schwellspannung
- 6.7 Gate-Leckströme
- 7 Elektrische Eigenschaften während der Alterung
- 7.1 Alterung der elektrischen Parameter
- 7.1.1 Alterung des On-Stroms
- 7.1.2 Alterung der Mobilität
- 7.1.3 Alterung des Off-Stroms
- 7.1.4 Alterung des On/Off-Verhältnisses
- 7.1.5 Alterung der Schwellspannung
- 7.1.6 Alterung des Gate-Leckstroms
- 7.2 Detaillierte Diskussion der Alterungsmechanismen
- 8 FT-IR Analyse und Korrelation mit den elektrischen Eigenschaften
- 8.1 Diskussion der FT-IR Spektren
- 8.2 Korrelation zwischen FT-IR Spektren und elektrischen Messungen
- 9 Zusammenfassung und Ausblick
- A Publikationsliste
- B Danksagung