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Die drahtlose mobile Kommunikation ist eines der am schnellsten wachsenden Technologiefelder. Zurzeit werden die Mobilfunknetze mit Systemen der 5. Generation 5G erweitert. Diese Technologie wird jedoch nicht ausreichen, um den Bedarf der Gesellschaft an drahtloser Konnektivität in naher bis mittelfristiger Zukunft zu decken. Es muss eine neue Generation von drahtlosen Mobilfunknetzen entwickelt werden, um diesen Bedarf zu decken. Da das Spektrum unter 100 GHz bereits überlastet ist, müssen die zukünftigen 6G-Netzwerke im hohen mm-Wellenlängenbereich über 200 GHz betrieben werden. Aufgrund der jüngsten Fortschritte in der Halbleiterprozesstechnologie sind diese Bänder mit Siliziumtechnologien zugänglich geworden. Diese Technologien ermöglichen die Kointegration von Hochfrequenz-Funkgeräten und digitalen Basisband-Prozessoren, einen äußerst zuverlässigen Herstellungsprozess und haben niedrige Produktionskosten für hohe Produktionsmengen. All diese Eigenschaften machen diese Technologie zur Schlüsseltechnologie für 6G-Funkgeräte. In dieser Arbeit werden die Überlegungen zum Systemdesign untersucht, die bei der Entwicklung der Hochfrequenz-Frontends für die zukünftigen 6G-Funkverbindungen berücksichtigt werden müssen. Im Rahmen dieser Arbeit wurden mehrere drahtlose Kommunikationsverbindungen, die mit verschiedenen Hochfrequenz-Frontends aufgebaut wurden, charakterisiert. Nachdem festgestellt wurde, dass die Verbindungen unterhalb der durch das Shannon'sche Theorem gesetzten Grenze arbeiten, wurde eine tiefgehende Analyse durchgeführt, um herauszufinden, was die Ursache für diese Einschränkung ist. Während dieser Analyse wurde festgestellt, dass fünf verschiedene Systembeeinträchtigungen die drahtlose Verbindung begrenzen. Bei diesen Beeinträchtigungen handelt es sich um Fehler, die durch den Messaufbau verursacht werden, den Signal-Rausch-Abstand am Empfängerausgang, den Phasenfehler, der durch das breitbandige Grundrauschen des LO-Pfades erzeugt wird, die Interferenzen, die durch die Oberschwingungen entstehen, und das IQ-Übersprechen, das durch eine nicht perfekte Symmetrie zwischen dem oberen Seitenband und dem unteren Seitenband verursacht wird. Das Phasenrauschen und das IQ-Übersprechen sind die dominierenden Fehler im System. Der Phasenfehler setzt eine praktische Grenze für die in der drahtlosen Verbindung verwendete Modulationsordnung und reduziert die spektrale Effizienz. Das IQ-Übersprechen beeinflusst die maximale Signalbandbreite, die in der drahtlosen Verbindung genutzt werden kann. In dieser Arbeit werden auch Techniken zur Überwindung dieser Einschränkungen vor-gestellt. Um den Einfluss des IQ-Übersprechens zu reduzieren, wurde ein Ultrabreitband-Rx entwickelt. Mit diesem Rx wurde die erste Silizium-basierte drahtlose 100 Gb/s-Verbindung über eine Entfernung von einem Meter aufgebaut. Darüber hinaus wird in dieser Arbeit die erste drahtlose MIMO-Verbindung vorgestellt, die bei Frequenzen jenseits von 200 GHz arbeitet. Mit diesem System wurden Datenraten von 110 Gb/s und 80 Gb/s über eine 1-Meter- bzw. 2-Meter-Strecke erreicht. Zusammenfassend wird in dieser Arbeit eine Analyse der Systembeeinträchtigungen vorgestellt, die die Leistung der drahtlosen Verbindung bei Frequenzen jenseits von 200 GHz einschränken. Diese Beeinträchtigungen müssen von jedem berücksichtigt werden, der Hochfrequenz-Frontends für die zukünftigen 6G-Netzwerke entwickelt. Außerdem stellt es einen Fortschritt gegenüber dem aktuellen Stand der Technik dar. In dieser Arbeit werden unter anderem die erste drahtlose 100 Gb/s-Verbindung auf der Basis von Siliziumtechnologien vorgestellt und es wird die erste drahtlose MIMO-Verbindung für Frequezen oberhalb von 200 GHz beschrieben, die eine aggregierte Datenrate von 110 Gb/s über eine Entfernung von 1 Meter ermöglicht

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